近日，三星电子正在开发名为"多层堆叠FOWLP"的下一代HBM封装时代，面向智高东说念主机和平板电脑等迁移开拓的开拓端AI哄骗。

该时代鸠合了超高纵横比铜柱与扇出型晶圆级封装（FOWLP），并对现存垂直铜柱堆叠（VCS）时代进行了校阅。三星将封装铜柱深宽比从3-5:1进步至15-20:1，以进步数据带宽。针对微米级细铜柱易弯撅断裂的问题，该时代鸠合扇出晶圆级封装制程，亚搏(中国)以塑封布线结构为铜柱提供复古。新时代可在同等面积下扩容输入输出端口，带宽有望进步15%至30%，内存堆叠容量增幅跨越1.5倍。

现在工作器级HBM已具备高带宽，但迁移开拓在尺寸、厚度、功耗和发烧量方面濒临更严格的截止。

除三星外亚搏(中国)，SK海力士也在加速布局智高东说念主机及膨胀推行开拓专用的半导体封装时代。